PECVD等離子體增強氣相沉積是一種應用廣泛的薄膜沉積技術。在等離子體工藝過程中，氣態前驅物在等離子體作用下發生離子化，形成激發態的活性基團，這些活性基團通過擴散到達襯底表面，進而發生化學反應，完成薄膜生長。
氣相沉積是一種在基體表面形成功能膜層的技術，它是利用物質在氣相中產生的物理或（及）化學反應而在產品表面沉積單層或多層的、單質或化合物的膜層，從而使產品表面獲得所需的各種優異性能。
PECVD等離子體增強氣相沉積技術的特點：
由CVD技術所形成的膜層致密且均勻，膜層與基體的結合牢固，薄膜成分易控，沉積速度快，膜層質量也很穩定，某些特殊膜層還具有優異的光學、熱學和電學性能，因而易于實現批量生產。
但是，CVD的沉積溫度通常很高，在900℃～2000℃之間，容易引起零件變形和組織上的變化，從而降低機體材料的機械性能并削弱機體材料和鍍層間的結合力，使基片的選擇、沉積層或所得工件的質量都受到限制。
目前，CVD技術正朝著中、低溫和高真空兩個方向發展，并與等離子體、激光、超聲波等技術相結合，形成了許多新型的CVD技術。
基本原理可分三個工藝步驟：
?。?）鍍料的氣化：即使鍍料蒸發，異華或被濺射，也就是通過鍍料的氣化源。
?。?）鍍料原子、分子或離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞后，產生多種反應。
?。?）鍍料原子、分子或離子在基體上沉積。
